由东芝投资普瑞光电制造出8英寸硅衬底的LED
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸硅衬底生长出高品质的GaN，所得LED芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1V，电流为350mA的情况下该芯片功耗为614mW。
合作中，东芝除了提供自己先进的硅制造工艺和一些生产技术的研发支持外，东芝还对普瑞光电进行了股权投资，看好普瑞在固态行业为降低成本所做的努力。
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸硅衬底生长出高品质的GaN，所得LED芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1V，电流为350mA的情况下该芯片功耗为614mW。
合作中，东芝除了提供自己先进的硅制造工艺和一些生产技术的研发支持外，东芝还对普瑞光电进行了股权投资，看好普瑞在固态行业为降低成本所做的努力。