美光整并尔必达将促成市占超海力士直逼三星

美光整并尔必达将促成市占超海力士直逼三星

       根据集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange调查，自5月8日尔必达正式宣布第二轮竞标结果由美光胜出，正式成为尔必达的策略伙伴后，近期美光将以2000亿日圆(25亿美元)入主尔必达，其中最多1400亿日圆将用于偿还债务之用，以目前尔必达债务达4200亿日圆来看，日本债权银行势必放弃约七成左右债权，才能让尔必达展开重建之路，此外美光拟再加码1000亿日圆帮助广岛厂转型为先进行动式记忆体工厂，逐步将现今以45nm制程为主的行动式记忆体，逐步转进30nm制程甚至25nm制程。
 
       从营收比重来看，美光正式入主尔必达后，有望将现有DRAM产能做进一步的整并，预计产业版图与供应链关系将会在未来产生重大变革；从最新的第一季DRAM营收市占率来分析，原美光与尔必达市占率各为11.6%及12.4%，与位居第二的韩系厂SK海力士的23.9%仍有显著差距，但经由这次美光整并尔必达后，综合两家公司的市占率，美光集团可望一跃逼近24%，高过SK海力士的23.9%，成为仅次三星成为市占率第二的记忆体品牌厂。再者，从行动式记忆体方面来观察，日前美光与尔必达的市占率亦为5%及14.7%，如正式整并之后总体市占率亦将来到19.7%，高过SK海力士的18.9%，全球三大DRAM阵营已俨然成形，有助于DRAM产业于今年可正式走向寡占格局，此举有助于DRAM产业逐步走向健康面，避免以往动辄削价竞争的市场态势。

 
       整合台美日优势泛美光集团月产能将占全球35%
 
       从DRAM产业竞争态势来分析，随着美光整并尔必达后，全新的泛美光集团将集结台美日三方DRAM厂的产能，各晶圆厂将各司其职，成为与韩系厂商相抗衡的新兴势力，从美光的规划来看，美光自身将致力于伺服器用记忆体及NANDFlash制品的生产与开发，其新加坡厂将肩负其重责大任。尔必达的广岛厂将专心于行动式记忆体的生产，日前在广岛厂中行动式记忆体投片已达70%可见一斑，如再加上美光1000亿日圆的挹注，在制程技术与产能上可望更进一步，加上美光的NANDFlash制程，更可以MCP制品进军智慧型手机市场，发挥垂直整合之效。
 
       而瑞晶方面预估仍将专职于标准型记忆体的生产，目前投片约在75K上下，但值得注意的是目前瑞晶仍有R2厂房尚未利用，美光亦审慎考虑做为生产NANDFlash之用，以应付未来的庞大市场需求，而华亚科方面。美光则逐步降低标准型记忆体的生产，并计画提升伺服器用记忆体的生产比重达50%以上，随着云端市场的兴起加上美光自身与美系厂商的良好关系，伺服器市场市占率有望进一步提升。力晶也与美光积极洽谈20nm制程及以下的授权，用于标准型记忆体的生产。
 
       倘若按照美光的计画，美光将整合台美日的产能及优势，除了营收有机会可以稳坐全球DRAM产业第二名的位置外，从投片量做观察，预计月产能将逼近400K上下，占全球DRAM产能约35%，成为新的第三势力，DRAM产业将进入三强鼎立的市场格局。