飞兆半导体100V BoostPak提高可靠性降低系统成本

       通过将 MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。

       该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench?工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。 与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。

主要功能：

       FDD1600N10ALZD:

       · RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A · RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A

       · 低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值）

       · 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）FDD850N10LD:

       · RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A 

       · RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A

       · 低栅极电荷 = 22.2 nC（典型值）

       · 低反向电容 (Crss) = 42 pF（典型值）

都有：

       · 快速开关

       · 100%经过雪崩测试 

       · 可提高dv/dt处理能力 

       · 符合 RoHS 标准