IR推出新1200V超高速绝缘栅双极晶体管IGBT系列

       全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。　　                    

       IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”　                        　

       这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。 　              　

规格　　

采用封装形式 　　　

采用裸片形式