中国南车IGBT产业进入快车道 销售破6万只
从中国南车位于湖南株洲的IGBT生产基地传来好消息，截至10月23日，该公司自主研制的大功率等级高压IGBT产品已累计批量销售达6万只。受惠于当前轨道交通新一轮市场回暖利好，公司的大功率高压IGBT封装生产线已进入满负荷运行状态。
在国家产业政策及中国铁路总公司支持下，中国南车2009年在株洲建成我国首条具有完全自主工艺开发能力的IGBT封装线，该封装线主要生产技术要求等级最高的轨道交通领域用高压IGBT。自当年投产以来，该公司自主研制开发的800A/3300V、1600A/1700V、1200A/3300V 、1500A/3300V IGBT等多种型号的IGBT模块陆续在国内200余辆大功率电力机车、城市地铁车辆上批量装车、考核和应用，在苛刻的机车运营环境下，该公司生产的IGBT产品性能稳定可靠，部分产品安全运营最高里程超过百万公里，赢得了用户的广泛认可。
IGBT中文名称为绝缘栅双极晶体管，是功率变换装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的“核芯”。在轨道交通领域，IGBT被称作牵引变流器的“CPU”，直接决定机车功率等级与操控的灵活性。
作为我国最早开发大功率高压IGBT器件技术及产业化的企业，中国南车旗下的南车时代电气通过“走出去、引进来”和自主创新相结合的道路，走出了一条独具特色的产业发展之路。2008年10月，南车时代电气首次跨出国门，成功收购了具备IGBT设计与制造能力的加拿大丹尼克斯半导体公司75%的股权，从而实现与国内已有功率半导体产业的互补，时隔一年之后，南车时代电气建成了我国首条具有完全自主工艺能力的IGBT产品封装线，产品陆续投放轨道交通、高压输配电、新能源等多个领域。
与此同时，南车时代电气加快在IGBT技术体系中最为关键的芯片技术的研制。2010年，该公司在英国成立功率半导体海外研发中心，联合早先成立的国内研发中心，组建了由丁荣军院士领衔的上百名全球性研发团队，专注新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等技术的开发与应用，依靠国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”等政策的支持，南车时代电气逐渐掌握了电压等级从1200伏到6500伏不等的IGBT芯片技术、模块封装及应用测试技术。
2012年12月，南车时代电气自主研制的轨道交通用3300伏等级电压IGBT芯片通过科技成果鉴定，这是由中国企业研制并成功批量装车应用的首款具有完全自主知识产权的IGBT芯片，至此也让中国南车成为目前国内唯一一家自主掌握集IGBT芯片研发、模块封装、系统应用于一体的企业。
目前，由中国南车投资15亿元建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目进入设备调试阶段，预计今年年底建成投产，项目建成后，可实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块的能力，该项目将完全打通芯片—模块—装置——系统应用的完整产业链，实现中国南车在电力电子器件方面的技术升级及产业整体竞争力的全面提升，满足并支撑我国轨道交通等产业领域对大功率IGBT产品的强大市场需求。
作为现代工业体系中最基础、最关键的部件之一，未来电力电子器件有持续稳定增长的较大市场规模和空间。据IMS Research的预测，2012年全球功率半导体分立器件和模块的总市场容量为187亿美元，预计每年维持8.3%的复合增长率，到2016年将达到262亿美元，其中大功率的分立器件和模块（包括IGBT）的市场将达到110亿美元。与此同时，伴随着我国经济社会的持续稳定发展，轨道交通、输配电、新能源、工业变频等市场领域，对电力电子器件产品，尤其是大功率IGBT产品的需求空间巨大。
在国家产业政策及中国铁路总公司支持下，中国南车2009年在株洲建成我国首条具有完全自主工艺开发能力的IGBT封装线，该封装线主要生产技术要求等级最高的轨道交通领域用高压IGBT。自当年投产以来，该公司自主研制开发的800A/3300V、1600A/1700V、1200A/3300V 、1500A/3300V IGBT等多种型号的IGBT模块陆续在国内200余辆大功率电力机车、城市地铁车辆上批量装车、考核和应用，在苛刻的机车运营环境下，该公司生产的IGBT产品性能稳定可靠，部分产品安全运营最高里程超过百万公里，赢得了用户的广泛认可。
IGBT中文名称为绝缘栅双极晶体管，是功率变换装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的“核芯”。在轨道交通领域，IGBT被称作牵引变流器的“CPU”，直接决定机车功率等级与操控的灵活性。
作为我国最早开发大功率高压IGBT器件技术及产业化的企业，中国南车旗下的南车时代电气通过“走出去、引进来”和自主创新相结合的道路，走出了一条独具特色的产业发展之路。2008年10月，南车时代电气首次跨出国门，成功收购了具备IGBT设计与制造能力的加拿大丹尼克斯半导体公司75%的股权，从而实现与国内已有功率半导体产业的互补，时隔一年之后，南车时代电气建成了我国首条具有完全自主工艺能力的IGBT产品封装线，产品陆续投放轨道交通、高压输配电、新能源等多个领域。
与此同时，南车时代电气加快在IGBT技术体系中最为关键的芯片技术的研制。2010年，该公司在英国成立功率半导体海外研发中心，联合早先成立的国内研发中心，组建了由丁荣军院士领衔的上百名全球性研发团队，专注新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等技术的开发与应用，依靠国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”等政策的支持，南车时代电气逐渐掌握了电压等级从1200伏到6500伏不等的IGBT芯片技术、模块封装及应用测试技术。
2012年12月，南车时代电气自主研制的轨道交通用3300伏等级电压IGBT芯片通过科技成果鉴定，这是由中国企业研制并成功批量装车应用的首款具有完全自主知识产权的IGBT芯片，至此也让中国南车成为目前国内唯一一家自主掌握集IGBT芯片研发、模块封装、系统应用于一体的企业。
目前，由中国南车投资15亿元建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目进入设备调试阶段，预计今年年底建成投产，项目建成后，可实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块的能力，该项目将完全打通芯片—模块—装置——系统应用的完整产业链，实现中国南车在电力电子器件方面的技术升级及产业整体竞争力的全面提升，满足并支撑我国轨道交通等产业领域对大功率IGBT产品的强大市场需求。
作为现代工业体系中最基础、最关键的部件之一，未来电力电子器件有持续稳定增长的较大市场规模和空间。据IMS Research的预测，2012年全球功率半导体分立器件和模块的总市场容量为187亿美元，预计每年维持8.3%的复合增长率，到2016年将达到262亿美元，其中大功率的分立器件和模块（包括IGBT）的市场将达到110亿美元。与此同时，伴随着我国经济社会的持续稳定发展，轨道交通、输配电、新能源、工业变频等市场领域，对电力电子器件产品，尤其是大功率IGBT产品的需求空间巨大。