ST携手Memoir Systems整合突破性的内存技术和半导体制程技术
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（STMicroelectronics）宣布与Memoir Systems的合作项目开发出革命性的算法内存技术（Algorithmic Memory Technology）。新技术将用于制造采用完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）技术的专用集成电路（ASIC，application-specific integrated circuits）和系统单芯片（SoCs，Systems on Chips） 的内部存储器。
当整合到采用FD-SOI制程的产品时，FD-SOI的功耗和性能优势 使Memoir Systems的算法内存不会损失任何性能。此外，整合了FD-SOI的极低软性错误率 （SER，Soft Error Rate）和超低漏电流的优势为包括网络、交通、医疗和航空等特定关键应用带来独特的价值主张（value proposition）。
意法半导体设计支持服务执行副总裁Philippe Magarshack表示：“与采用其它制程的组件相比，单独使用FD-SOI制程的ASIC和SoC拥有更快的速度及更强的散热性能。在增加了Memoir Systems的知识产权后，FD-SOI产品变得更加诱人，并使代码移植变得更简单。”
Memoir Systems共同创办人暨执行长Sundar Iyer表示：“我们致力于突破性内存技术的开发以及更短设计周期和极高性能的实现，整合同等级中最好的算法内存技术与FD-SOI平台对我们的客户具有重要意义。代码移植的简易性结合我们有目共睹的优异性能，证实了FD-SOI可带来更快的速度、更强的散热性能及更简单的设计。”
作为市场领先的ASIC大厂，意法半导体率先推出了完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件（FD-SOI）制程技术，扩大现有平面基板半导体制程的应用范围，并简化了芯片设计。FD-SOI晶体管提高了静电特性，缩短了信道长度，因此工作频率高于采用传统CMOS制程的同等级晶体管。
当整合到采用FD-SOI制程的产品时，FD-SOI的功耗和性能优势 使Memoir Systems的算法内存不会损失任何性能。此外，整合了FD-SOI的极低软性错误率 （SER，Soft Error Rate）和超低漏电流的优势为包括网络、交通、医疗和航空等特定关键应用带来独特的价值主张（value proposition）。
意法半导体设计支持服务执行副总裁Philippe Magarshack表示：“与采用其它制程的组件相比，单独使用FD-SOI制程的ASIC和SoC拥有更快的速度及更强的散热性能。在增加了Memoir Systems的知识产权后，FD-SOI产品变得更加诱人，并使代码移植变得更简单。”
Memoir Systems共同创办人暨执行长Sundar Iyer表示：“我们致力于突破性内存技术的开发以及更短设计周期和极高性能的实现，整合同等级中最好的算法内存技术与FD-SOI平台对我们的客户具有重要意义。代码移植的简易性结合我们有目共睹的优异性能，证实了FD-SOI可带来更快的速度、更强的散热性能及更简单的设计。”
作为市场领先的ASIC大厂，意法半导体率先推出了完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件（FD-SOI）制程技术，扩大现有平面基板半导体制程的应用范围，并简化了芯片设计。FD-SOI晶体管提高了静电特性，缩短了信道长度，因此工作频率高于采用传统CMOS制程的同等级晶体管。