富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发出拥有1Mb内存 (128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT，是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，且即日起即可为客户提供样品。全新MB85RC1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，适用于需要经常重复写入数据之应用，例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI串行接口产品系列，为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。
FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器，能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。值得注意的是，在众多非挥发性内存技术中，FRAM能保证一万亿次以上的写入/擦除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。
MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作，可支持3.4MHz的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期，大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数，并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。此外，对于一些需要使用I2C接口EEPROM应用场合，现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之，以实现高频率数据输入和高精度数据撷取（如图一），更能够降低数据写入的时功耗（如图二）。
图一：数据写入/擦除周期比较
图二：EEPROM和富士通半导体FRAM产品之数据写入作业功耗比较
图三：FRAM产品阵容（序列内存）
富士通半导体将持续开发FRAM产品以满足客户对低功耗产品之需求，例如需求日益增加的能量采集应用，其中低工作电压是关键要素。 样品供货时程 富士通半导体从本月起已开始为客户提供MB85RC1MT样本，请与业务代表洽谈详细样品价格。