安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列

　　5月21日，安森美半导体推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件，或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本，能帮助工程师提供更高能效。

　　安森美半导体深知终端产品性能越来越强调高能效，故优化了新功率MOSFET的设计、材料及封装，以降低损耗。0.7毫欧(mΩ)的一流导通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低输入电容确保导电、开关及驱动器等损耗降至最低。安森美半导体还深思熟虑，确保这些MOSFET提供较现有器件更优的热性能和低封装阻抗及感抗。

　　安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“将导电及开关损耗降至最低以优化总能效，是越来越多终端市场设计人员极希望可实现的目标。我们利用工艺、材料和封装专知和技术，成功将功率MOSFET的性能提升到新的水平，帮助我们客户达到他们严格的设计性能目标。”