赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术

赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术

　　赛普拉斯半导体公司与联华电子公司(纽交所代号 UMC)日前联合宣布，UMC获得了赛普拉斯SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存的知识产权(IP)的使用权，用于其55纳米工艺技术节点。赛普拉斯的SONOS技术能更方便地集成非易失性存储单元，同时具有无与伦比的产能扩充能力，以适应未来需要。主要的应用领域包括可穿戴设备、物联网(IoT)应用、微控制器和逻辑主导(logic-dominated)的产品。

　　赛普拉斯的55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(NVM)工艺与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。要嵌入标准的CMOS工艺，SONOS需要的掩膜层数更少。具体来说，SONOS只需3到4层额外的掩膜，而其他嵌入式闪存技术一般需要11到12层。当添加到基准CMOS工艺制程中时，SONOS 不会改变标准的器件特性或模式，能保持已有的设计IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的数据保存期、10万次编程/擦写寿命，以及强大的抗软错误能力。UMC在2013年曾验证过赛普拉斯的S65? 65纳米 SONOS工艺技术。赛普拉斯和UMC已展示了将SONOS延伸到更小节点的能力，以加速未来IP的开发。

　　UMC负责特殊技术开发的副总裁S。C。 Chien说：“我们拥有众多的半导体IP生态合作伙伴，UMC计划建立更多的增值技术平台，以适应未来低功耗、高集成度IC设计的需求，例如IoT和可穿戴设备。我们很高兴与赛普拉斯合作，为客户带来55纳米SONOS技术的诸多优势，包括稳定的性能、良好的成本和久经考验的高良率。基于UMC在特殊工艺方面已有的成功经验，例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等，我们计划利用赛普拉斯易于集成的55纳米非易失性存储IP来满足不同的应用需求。”

　　赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说：“赛普拉斯一直致力于与UMC这样的业界领先企业开展合作，将SONOS IP作为嵌入式非易失性存储的首选方案。55纳米SONOS工艺生逢其时，可以满足UMC各种客户强烈的市场需求。许多新产品均面向快速成长的市场，包括智能卡、银行卡、可穿戴设备和物联网等，均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”

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