三星半导体扩产存储器 DRAM业风暴逼近

　　半导体设备商透露，存储器龙头三星半导体已启动韩国新厂line 18新厂扩建，将全数投入生产DRAM及NAND Flash，预计明年6月完成建厂，第3季装机投产，恐将打破近二年已趋稳定的DRAM平衡，为明年DRAM供需投下新变量。

　　无独有偶，三星因自家手机销售不佳及苹果代工订单大量流失，今年起，将原生产28纳米制程逻辑芯片产能转作生产DRAM。

　　根据三星下给设备厂的改造设备订单估算，位于韩国华城的line 17厂，至少将有月产能5万片全数转作生产DRAM，预计年底开始投片，相关转换进度已造成市场一定程度干扰。

　　设备商预估，明年6月后，三星line 17及新厂line 18增加DRAM的产出，势必将打破维持近二年的DRAM供需平衡，增加的产出，将不再是业者眼中的一朵乌云，可能是一场新的风暴。

　　三星将line 17转作DRAM的消息，近期在市场掀起极大的讨论，稍早市场传出，三星因抢到苹果A9订单，且为维持DRAM价格平稳，决定暂缓转移line 17转作DRAM脚步。

　　不过，根据取得三星下单设备商透露，三星启动DRAM增产的行动并未停止，外资券商摩根士丹利也证实，三星增产DRAM如火如荼进行中。

　　设备商表示，三星除了line 17厂确定有超过5万片产能转为生产DRAM外，也在line 17厂旁，启动line 18厂的新建案。

　　虽然三星还未对外公开宣布扩产消息，但这座新厂已经动工，并订明年6月完工，可开始装机，若全数投入DRAM生产，估计每月增加产能，将远大于line 17的5万片，可能超过6万片。

　　国内DRAM大厂华亚科董事长高启全昨(5)日表示，并未听说三星line 18新建案。他强调，DRAM供需平稳对各DRAM厂有利，他不认为三星会重新打破这个平衡。

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