三星新手机可望舒缓第二季DRAM价格跌势

　　挥别 Galaxy S4 与S5的销售衰退阴霾，三星(Samsung)在今年MWC推出双旗舰 Galaxy S6 以及Galaxy S6 Edge，其中S6 Edge 的双曲面侧萤幕成为最大吸睛焦点，而其他零组件规格相较于Galaxy S5也都有所提升。

　　TrendForce智慧型手机分析师吴雅婷表示，由于三星这次推出的规格让各界惊艳，S6与S6 Edge第二季出货将优于预期，成长500万支以上，带动全年出货上调至5,500万支水位，相较于原先预估出货量成长超过20%。

　　吴雅婷表示，Galaxy S6 /S6 Edge记忆体采用最新一代行动式记忆体LPDDR4，容量上达 3GB。目前三家 DRAM 厂当中，真正能导入 LPDDR4 量产的厂商仅有三星半导体一家，因此三星半导体为Galaxy S6机种唯一行动式记忆体供应厂商。在Galaxy S6市场关注度高、出货预估向上调整的前题下，三星的手持装置部门已经向半导体部门要求增加LPDDR4颗粒供给。

　　根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange推估，3月开始到整个第二季，光是三星增加供给的部分，将多消化一个月近20K的投片量，除了让现有的行动式记忆体产能更为吃紧外，也将稍微消化目前标准型记忆体过多的产能。

　　三星Galaxy S6 / S6 Edge预估出货量

　　另一方面，受到Galaxy S6机种出货优于预期的影响下，DRAMeXchange预估第二季度行动式记忆体的跌幅趋缓，季跌幅可能低于3%。而第三季受惠于iPhone新机推出以及联发科新平台6735，将带来智慧型手机好久不见的铺货潮，行动式记忆体价格将更为稳定。

　　至于标准型记忆体部分，在产能排挤的预期下，季跌幅可能从原先预估的7~9% 缩小至趋近于5%。除了三星以外，其他搭载高通810晶片的旗舰机种包含小米的Note (顶配版4GB)以及HTC One M9 (3GB)也同时采用LPDDR4解决方案。吴雅婷表示，Galaxy S6出货量的提升将减缓淡季DRAM价格的跌价幅度，同时也提前展开LPDDR4供货争夺战的序幕。

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