【东芝】人间已是四月天,东芝新品不停歇

来源: 作者: 时间:2015-04-20 10:41

    冰雪已融,春樱又放,在东芝的诞生地日本,四月意味着一个新的开始,一个新学年,一份新工作,又或者是一波又好又赞的新产品→→比如今天小编要奉上的四月物语系列:IoT解决方案;低导通电阻功率;更有全球首款的48BiCS!别遗憾触不可及的春樱,要知道春天里的好产品才是爱,是暖,是希望!

 

【四月物语一】东芝推出物联网解决方案ApP Lite? TZ5000系列扩容

 

    春日新品第一弹即是东芝所推出的以物联网(IoT)为目标,用以扩大其ApP Lite?处理器阵容的TZ5010XBGTZ5011XBGTZ5021XBGTZ5023XBG。通过东芝专有的基于硬件的电源管理技术和系统集成技术,这些产品能够更好地降低功耗,从而实现高内存效率和强大的安全特性。

    基于 ARM? Cortex?-A9双核处理器的TZ5010XBGTZ5011XBG应用处理器整合了高速Wi-Fi? 802.11ac、图形和视频引擎用内置基带,适用于其媒体和高清晰图片需要较大数据容量的物联网设备。TTZ5021XBGTZ5023XBG支持LP-DDR2/3内存、专用于移动设备的低功耗模式,以及面向物联网应用的小型封装尺寸。另外,TZ5023XBG配有执行语音、音频和传感器处理的低功耗数字信号处理器(DSP——Cadence?Tensilica? HiFi Mini

    TZ5000系列产品为物联网(IoT)和工业应用提供了稳定的节能平台,以真正的“绿色”增添着属于春天的暖意。

产品特性

l  专用于特定应用的内置通信和信号处理引擎。

l  实现高效的系统性能。

l  专有的基于硬件的低功耗散热技术。

 

【四月物语の二】东芝发布汽车用低导通电阻功率MOSFET

    春暖花开,喜事不断:能够降低传导损耗-40V P-ch加入东芝的MOSFET产品阵容啦!东芝最新推出的汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,通过安装一枚采用东芝U-MOS VI沟槽工艺制造的芯片,实现了业界顶级[1]的低导通电阻,有助于减少电子设备的传导损耗。该芯片采用了具有经过改进的Cu(铜)连接器区域的TO-220SM(W)封装。目前,-40V P-ch正在进行测试,以期获得AEC-Q101汽车认证[2]In the end,来自小编的一句话旁白:MOSFET要选有几十年开发生产的东芝哦!

 

注释
[1]
在具有相同额定值的产品类别中,截至2015317日。东芝调查。
[2]
请联系您当地的东芝销售办事处,了解认证过程的最新进展。

 

【四月物语の三】东芝研发全球首款48BiCS3D堆叠式结构闪存)

    全球首款48*1 3D堆叠式结构闪存*2Duang~Duang~驾到!这款被称作BiCS的设备,每单元容量为2128-gigabit (16G)。通过最尖端48层层叠工艺,能够提高写入/擦除次数可靠性,应用范围十分广泛,尤其适用于固态硬盘(SSD)

    自全球首推3D闪存*3技术以来,东芝一直都致力于优化大批量生产的研发。为满足2016年及以后市场的长足发展需求,东芝将推出主要瞄准大容量应用领域(如SSD)的产品组合,以此积极促进向3D闪存的过渡。

 

*1:截至2015326日。东芝调查。
*2
:一种在硅平面垂直方向堆叠闪存存储单元的结构,相比传统NAND闪存(存储单元在硅平面上以平面方向排列),其极大地提高了密度。
*3
:东芝发布会,2007612日。

 

四月早天里的云烟太飘渺,不若让脚踏实地的科技精细化你可以更温暖的生活。绿色属于这个春天,更属于以人为本的智能社会,创新领先,东芝为你。

 

更多信息及订购,欢迎访问东芝半导体&存储产品公司官方网站

 

 

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