超高灵敏度的TMR磁传感器

　　江苏多维科技推出了TMR29xx和TMR27xx系列的高性能隧道磁阻(TMR)线性磁场传感器，实现了高达200mV/V/Oe的超高灵敏度，同时兼备低功耗和低噪声等优异性能。这些新产品最适用于高精度测量以及电池供电高端工业类传感器应用，包括微弱磁场检测、电流传感器、金属探测和无损探伤。

　　“MDT 全新的高性能TMR 传感器创下了行业内的记录。在包括各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 或霍尔效应的现有基于半导体的磁传感器技术中，还没有任何一种技术可以实现如此之高的信号灵敏度。基于我们强大的知识产权组合，MDT在TMR传感器设计和制造方面独具的专业经验使此项前所未有技术革新成为可能。TMR29xx系列产品为对性能有严格要求的用户提供了高性能传感器的新的选项。相比较于霍尔效应，各向异性磁阻、巨磁阻、或巨磁阻抗(GMI)传感器，MDT的高性能TMR传感器可以简化模拟前端电路并降低其成本，实现更低的功耗、更小的尺寸、和更高的可靠性，”江苏多维科技有限公司联合创始人兼首席技术官詹姆斯 G. 迪克博士表示。“MDT将全心致力于为客户提供最合适的产品和服务。我们为满足不同客户的需求，可提供全面多样的产品系列和服务选项，包括标准封装的器件、晶圆或者裸片、代工服务、IP授权等方式。”

　　TMR29xx和TMR27xx系列产品是目前具备最高性能指标的平面内感应TMR线性磁场传感器。加之现有的TMR21xx系列(重新命名的MMLPxx系列平面内感应TMR线性传感器)和TMR25xx系列(Z轴垂直感应TMR线性传感器)，MDT已经提供了一个完整的产品系列，可适用于各种广泛的工业类和消费类磁传感器应用，包括电流传感器、位置和速度传感器、安全监控、车辆检测、电子罗盘、无损探伤、马达和风扇驱动等。

　　重要特点：

　　.TMR29xx 定制产品: 灵敏度可达200mV/V/Oe，微安级超低功耗

　　.TMR2905：超高灵敏度60mV/V/Oe，低功耗10-50微安 (@1V)，低噪声1-5nT/rtHz (@1Hz)

　　.TMR2922：高灵敏度15mV/V/Oe，低功耗10微安 1V)，低噪声1nT/rtHz (@1Hz)

　　.TMR2701/2703/2704/2705：高灵敏度10-20mV/V/Oe，功耗低于10微安 (@1V),低噪声10-20nT/rtHz (@1Hz)

　　.TMR27xx定制产品：灵敏度，噪声和功耗可按照要求定制

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