英飞凌新一代CoolMOS 可减少50%的开关损耗

　　2015年5月22日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm2的面比电阻(RDS(ON)*A)，它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合，可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗，适合大功率开关电源(SMPS)应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本(BoM)和总拥有成本(TCO)的工业应用。

　　CoolMOS C7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%，这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5 kW的服务器PSU，使用C7 600 V MOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

　　在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中，CoolMOS C7 600 V器件可帮助降低磁性元件成本。由于栅极电荷和输出电容显著降低，C7的开关频率是CoolMOS? CP的两倍，但效率仅稍逊于CoolMOS? CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸，降低组件总成本。比如，开关频率从65 kHz增大一倍至130 kHz时，磁性元件成本可降低30%之多。

　　CoolMOS C7 600 V家族产品将在两个300毫米晶圆厂制造，可为客户提供供货保障。该家族产品囊括RDS(ON)值和封装各不相同的众多型号，首发型号包括采用极具创新性的TO-247 4管脚封装的型号。这种4管脚封装它可消除因快速瞬变导致的电源电感电压降，从而将满载效率最多提高0.4%。

　　英飞凌副总裁兼AC/DC产品线总经理Peter Wawer表示：“作为英飞凌高压MOSFET产品组合的一部分，全新CoolMOS C7 600V家族是英飞凌预计2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已实现批量生产的现成、可靠的技术，CoolMOS C7器件可最大限度降低开关损耗，实现高达200 kHz的开关频率，而英飞凌的GaN技术将进一步扩大频率范围，支持新型拓扑。”

　　与CoolMOS C7 600 V形成互补、搭载行业标准管脚的英飞凌全新2EDN7524 EiceDRIVER? IC，拥有两个独立的非隔离式低侧栅极驱动器，每个驱动器可支持5 A的源汇峰值电流。两个通道都能实现典型的5 ns上升和下降时间，而1 ns的通道间延时匹配方便设置同步切换，使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大，但输出级的RDS(ON)非常低，这可最大限度降低驱动器的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。因为驱动器IC能兼容控制和启用输入端高达-10 VDC的电压，所以它能有效应对接地反弹，提高系统可靠性。

　　供货情况

　　CoolMOS C7 600 V MOSFET的首发型号包括采用TO-220、TO-247和TO-247 4管脚封装， RDS(ON)从40 mΩ到180 mΩ不等的型号。采用TO-220 FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封装，以及具备不同RDS(ON)值的型号，将在2015年第三季度推出。采用DSO-8封装的2EDN7524 MOSFET驱动器将在2015年8月开始量产。更多封装和功能选项将在2015年第四季度提供。如欲进一步了解CoolMOS C7 600 V，请点击www、infineon、com/C7-600V、如欲进一步了解2EDN7524 MOSFET驱动器，请点击www、infineon、com/2EDN、

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