飞思卡尔推出首款基站专用氮化镓射频功率晶体管

　　飞思卡尔半导体公司 [NYSE: FSL] 日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓(GaN)射频功率晶体管。新产品A2G22S160-01S在无线基础设施应用所使用的30W和40W放大器中表现优异。这款产品是面向蜂窝移动通信市场的Airfast系列GaN晶体管的第一款产品。

　　作为射频功率晶体管市场的领跑者，飞思卡尔推出的GaN射频解决方案使客户在无线基础设施市场中有了更多世界级的产品选择。就在新产品发布的几个月前，飞思卡尔才推出了MMRF5014H，这是它第一款面向军事及工业应用的GaN 射频功率晶体管。目前，这款产品在热感与宽带射频性能表现方面仍是100W级别GaN晶体管中的佼佼者。

　　飞思卡尔高级副总裁兼射频业务总经理Paul Hart表示： “飞思卡尔正将GaN应用从小众市场引领向如蜂窝移动通信基础设施这样的主流应用市场。是时候向我们庞大的电信客户群推荐我们的GaN解决方案了。除了A2G22S160-01S的超级性能外，我们的蜂窝移动通信客户还将拥有飞思卡尔的高产能和全球性的售后服务做保障。”

　　与硅相比，GaN具有更高的功率转化效率，更快的转换速度以及更高的功率密度，故而以它为基础而制造出的功率晶体管与传统器件相比体积更小，功能也更强大。这要得益于GaN的几大特性—较宽的带隙，较强的临界电场以及高水平的电子迁移率。虽然GaN的转移在过去花费过高，但最近的商业和技术进步正使制作成本逐渐降低。作为半导体制造业中一直以来的领跑者，飞思卡尔正在某些世界级的大型市场展示GaN材料的优点，同时也在主流商业基站市场中实现了GaN功率放大器的大规模部署。

　　飞思卡尔 Airfast系列射频功率产品涵盖了600MHz到3.8GHz的所有无线蜂窝移动通信频段，采用多种半导体技术。A2G22S160-01S专为1800-2200MHz频率范围的基站设计，性能优异。例如，在40W的Doherty双向不对称放大器中，其载波通道装有一根A2G22S160-01S晶体管，峰值通道装有两个A2G22S160-01S晶体管，则它的最大输出功率为56.2dBm。通过8dB的输出回退(OBO)，功率增益可达到15.4dB, 效率则可达到56.7%。当此放大器受到两个20MHzLTE载波单元(聚合后的带宽则为40MHz)的驱动时，具备数字预失真(DPD)功能的邻道功率(ACP)则为55dBc。

　　供货

　　A2G22S160-01S GaN 射频功率晶体管现正在生产中，参考设计和其他支持方案已可获得。有关定价及其他信息，请联系当地飞思卡尔销售办公室。

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