三星明年底可量产10纳米芯片 性能倍增功耗低

三星明年底可量产10纳米芯片 性能倍增功耗低

　　最近，三星宣布该公司将于2016年年底采用10纳米制造工艺大规模生产芯片，这个新技术在处理能力、芯片尺寸和功耗方面有着显著的优势。

　　全新的10纳米芯片将会继续使用的鳍式场效晶体管(FinFET)技术，整体构造与全球首个使用14纳米工艺制造的Exynos 7420类似。

　　当前，Exynos 7420芯片被应用在三星的旗舰机型Galaxy S6/S6 Edge上。根据跑分结果显示，Exynos 7420是Android智能手机阵营中运行最快的移动处理器。

　　在本周早些时候旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)特别发布会中，三星首次公开展示了使用该项技术打造的300毫米晶圆，这意味着三星已经完成了10纳米制造工艺量产的规范。

　　在不久的将来，我们将会看到使用10纳米量产工艺所生产的三星手机，这项技术还有望出现在诸如可穿戴设备、网络设备或数据中心硬件中。

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