三星强化14纳米芯片 欲在10纳米领域赶超台积电

　　三星电子和台积电(2330)的晶圆代工大战日益白热化，韩媒称，三星似乎打算强化当前的14纳米制程，生产出类似10纳米制程的产品。业界人士表示，三星这么做有风险，开发进度或许会落后台积电。

　　韩媒etnews 29日报导，三星近来开始强化14纳米制程;业界认为强化版的14纳米芯片，功能可能会与10纳米相近。据传台积电的16纳米FinFET Plus制程，效能接近三星的14纳米，因此要是三星完成制程强化，或许能让芯片功能再上一层楼。与此同时，三星也积极发展10纳米FinFET制程，预计明年底量产;该公司向旗下各部门喊话，要求研发新产品时，使用10纳米制程芯片。

　　据了解，三星若采取此一策略，可以同时经营10纳米和14纳米产线，不需要砸下重金，把当前的14纳米全部转换成10纳米。因为10纳米的投资报酬率不高，不足以吸引三星把14纳米全转为10纳米。南韩业界人士对此表示忧心，指出要是台积电成功量产10纳米，就算三星用14纳米产线，生产出类似10纳米的产品;表面看来，三星开发进度仍然落后台积电。因此就算没有足够时间回收14纳米投资，也不该延后10纳米量产计划。

　　Androidheadlines、com、 Fudzilla 22日报导，三星晶圆代工事业部(Samsung Foundry)发言人Kelvin Low 21日宣布，三星已在6月份正式将10纳米FinFET制程纳入开发蓝图，预计明(2016)年底就能进入量产的阶段。他指出，对行动、消费与网路产品的芯片设计商而言，10纳米FinFET能显著提升芯片的运算效能与省电表现。

　　三星、台积电相互较劲的意味相当浓厚。台积电甫于5月21日发布新闻稿宣布，位于中科的台积晶圆十五厂新建厂区，将用于10纳米技术的量产，预计在明年中开始安装机台，并于后年生产。

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