狙击闪迪东芝 三星超高密度固态硬盘芯片发布

　　在本月初，闪迪和东芝正式发布了双方联合研发的世界首款256Gbit(32GB)、48层堆叠、3bpc固态硬盘。但这个领先优势并没有保持太久，因为日前三星也正式带来了自己同类型技术。

　　三星将这款自主研发的固态硬盘芯片命名为V-NAND，它的配置参数同样为256Gbit、48层堆叠和3bpc，密度是传统128Gbit NAND闪存芯片的两倍。除了实现32GB(256Gbit)的单Die容量外，这款芯片还能轻松实现两倍于三星现有固态硬盘系列的容量，并成为多TB固态硬盘的理想解决方案。

　　容量的增加可以带来一个简单、明显且重要的影响，那就是让硬盘以更小的体积存储更多的数据。举个例子，在首次研发出48层堆叠芯片之后，三星就紧接着发布了2TB 850 Evo和Pro固态硬盘。

　　在技术到位之后，紧接着就是生产的竞赛了。闪迪和东芝透露，我们要等到2016年才会看到使用这种芯片的产品问世。而三星目前还未公布任何的产品计划，无论是在消费类还是企业市场。那么究竟谁才会率先推出搭载这种超级芯片的固态硬盘?我们就只能拭目以待了。

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