2016年全球DRAM市场比拼20纳米产能 中国大陆将进军市场

来源:国际电子商情 作者:------ 时间:2015-12-23 09:18

中国大陆 dram 行动式内存

  2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响,DRAM价格呈现显著衰退,尤其以标准型内存最为明显。TrendForce旗下存储事业处 DRAMeXchange调查显示,在寡占市场型态下,虽然小幅供过于求且价格持续下滑,各供货商生产仍保持纪律,未有明显新增产能,因此延续2013年与2014年态势,今年DRAM各厂仍维持全面获利。

  DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,2016年虽然受惠于智能手机及服务器的需求影响,单机搭载容量会有显著提升,但各项终端产品仍难有爆发性的发展。

  DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求增长约为23%,供给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求,DRAM单价持续下滑,各家获利能力将大幅取决于制程转进所带来的成本下降以及产品组合的调配。

  2016年DRAM产业趋势分析如下:


  年度位元产出来自20纳米制程转进,晶圆投片量大约持平

  吴雅婷表示,DRAM属寡占市场型态,各供货商在产能的扩张上皆有所节制,相较仍处于完全竞争市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士与美光半导体20/21纳米的转进,晶圆产能上,除三星的Line17可能再微幅上升、 SK海力士的新厂M14会陆续启用之外,2016年DRAM总投片量与2015年呈现持平。


  DDR4正式取代DDR3成为市场主流

  随着市场需求转变以及20纳米逐渐成熟,DDR4的生产比例越来越高。2015年由于Intel平台支持度的问题,DDR4的导入主要发生在服务器端,并且已经率先在第四季取代DDR3成为主流。DRAMeXchange预估,个人计算机(PC)/笔记本电脑端由新平台Skylake开始采用DDR4,将会在2016年第二季起放量,成为主流解决方案。


  行动式内存与服务器内存生产比重持续提升

  智能手机受惠于20nm制程产出的LPDDR4普及度越来越高,高端旗舰机型(除苹果以外)以3GB/4GB为标准规格。吴雅婷指出,2016年第二季起就会有单机DRAM搭载容量上达6GB的机型问市,大幅增加移动式内存的需求动能。服务器内存亦然,受惠于20nm制程产出的DDR4普及度升高,在高容量 32GB/64GB组件成本降低,促使厂商策略性调降价格以刺激需求,有助于服务器内存生产比重提升。


  中国大陆进军DRAM意图仍在,但进入门坎高,难有进展

  2016 年中国大陆持续发展半导体的策略不变,仍将有许多并购发生,内存方面更是中国大陆发展的重点项目之一。吴雅婷进一步表示,与NAND Flash较为混乱的市场态势相较,DRAM市场三强鼎立的状态结构稳固,引进新的竞争者恐怕导致更严重的供过于求,因此三强与中国大陆合作可能性低,使得中国大陆欲进军DRAM产业的困难度远高过其他半导体产品类别。



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