三星DRAM蓝图透露15nm或是极限 恐被中国追上

三星DRAM蓝图透露15nm或是极限 恐被中国追上

　　三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。

　　韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

　　三星从20纳米制程(28→25→20)，转进10纳米制程(18→17)，缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

　　三星装置解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。

　　当下三星DRAM主力为20纳米制程，今年将逐步增加18纳米产出比例，期望明年生产以18纳米为主。

　　MoneyDJ新闻4月13日报导，Trendforce指出，从第一季中开始，三星18纳米的标准型存储器产品陆续进入量产阶段，但由于先进制程的设计难度高，在生产的过程中容易与部分笔电的平台出现相容性相关的问题，导致产线的不良率过高，影响出货;目前三星半导体正积极解决该异常状况，但出货不顺的现况使供货吃紧的态势未能舒缓。同时，美光的17纳米产品也在第一季中陆续送交样品给客户做测试，目前测试过程并不顺利，原先设定在第二季可能量产的目标恐将推迟。

　　SK海力士则因为目前没有进行制程转换，成为三大厂当中唯一没有遭遇供货不顺问题的厂商。吴雅婷指出，三星和美光遭逢的状况说明制程转进至20纳米以下时，在设计、生产的难度都大幅提升，此外，也说明制程微缩能享有的位元成长越来越少，使得供货端吃紧的态势若要得到舒缓，还需花费更多时间。