三星DRAM蓝图透露15nm或是极限 恐被中国追上

来源:精实新闻 作者: 时间:2017-04-19 00:44

dram 存储器 三星 sk海力士

  三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。

  韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16纳米DRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。

  三星从20纳米制程(28→25→20),转进10纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

  三星装置解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。业界人士估计,15纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

  当下三星DRAM主力为20纳米制程,今年将逐步增加18纳米产出比例,期望明年生产以18纳米为主。

  MoneyDJ新闻4月13日报导,Trendforce指出,从第一季中开始,三星18纳米的标准型存储器产品陆续进入量产阶段,但由于先进制程的设计难度高,在生产的过程中容易与部分笔电的平台出现相容性相关的问题,导致产线的不良率过高,影响出货;目前三星半导体正积极解决该异常状况,但出货不顺的现况使供货吃紧的态势未能舒缓。同时,美光的17纳米产品也在第一季中陆续送交样品给客户做测试,目前测试过程并不顺利,原先设定在第二季可能量产的目标恐将推迟。

  SK海力士则因为目前没有进行制程转换,成为三大厂当中唯一没有遭遇供货不顺问题的厂商。吴雅婷指出,三星和美光遭逢的状况说明制程转进至20纳米以下时,在设计、生产的难度都大幅提升,此外,也说明制程微缩能享有的位元成长越来越少,使得供货端吃紧的态势若要得到舒缓,还需花费更多时间。


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