ST针对汽车市场推出新系列高电压N通道功率MOSFET

元器件交易网 2015-12-28 a:136:{i:0;s:2:"ST";i:1;s:2:"ST";i:2;s:2:"ST";i:3;

　　ST针对汽车市场推出新系列高电压N通道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内建快速恢复二极体的 MDmesh DM2超接面制程，崩溃电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

　　400V 和500V两款新产品是市场上同级产品中首获AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞品。全系列产品专为汽车应用所设计，内部整合高速本体二极体(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behaviour)和背对背闸极源极齐纳(gate-source zener)二极体保护功能，是全桥零电压开关拓扑的理想选择。

　　意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr(反向恢复时间)/Qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET，同时也拥有最出色的高电流关机能源(Eoff)，有助于提升汽车电源能效。此外，内部高速本体二极体的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波元件。MDmesh DM2技术透过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。

　　意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性：

　　·快速恢复本体二极体

　　·极低的闸极电荷及输入电容，500V D2PAK产品的闸极电荷及输入电容分别为44nC和 1850pF

　　·低导通电阻

　　·最短的Trr(反向恢复时间)：600V TO-247在28A时是120ns;650V TO-247在48A时是135ns

　　·闸极源极齐纳二极体保护

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