中国终于下决心要做存储器芯片

　　中国终于下决心要做存储器芯片，武汉新芯计划投资240亿美元，于2018年开始量产3D NAND闪存，引起全球的热议。客观地说能够下这样的决心是十分不易，国内国外抱怀疑者很多，基本上反映中国欲进军存储器业的现实。

　　中国半导体业处于特定环境中，提出产业的自主可控是迫不得已。西方总是冷眼相对，控制及干扰我们的先进技术进步，所以中国在CPU方面的开发至少己有20年的历史。

　　如今中国的国力己大增，集成电路产业具一定规模，似乎资金方面、与之前大不同，己有所积累，所以此次下决心选择存储器芯片作为IDM模式的突破口，主要是产业发展需要，也是众望所归。

　　归纳起来，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一个是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3D NAND样品。另一个是紫光，它的策略是先通过兼并，站在一定高度之后再自行研发。最后一个是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。其中如福建投资在泉州的晋华集成电路，它由联电开发DRAM相关制程技术，产品将是32纳米制程的利基型DRAM，未来技术将授权给晋华，同时联电也可以保有研发成果。

　　依目前的态势由于做的产品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路径不同，以及合作对象也不一样，正如同“百花齐放”，因此都有一定的可能，但又都不太确定。

　　然而依照中国的囯力与条件又不可能支持得起那么多条存储器生产线，所以未来可能还要等2-3年时间的观察，结果才会更加明朗。

　　个人不成熟的看法由于武汉新芯是依靠自行研发为主，尽管这条道可能慢些，暂时技术方面落后，但是能有属于自己的东西，它的未来至少国家一定会支持到底，相对有成功的可能与希望。

　　近期又传来紫光可能与新芯合作的方案，对于双方可能都是个理性的选择。但是要与美光合作变成中国版的“华亚科”模式有些担忧。

　　因为此种跟随型模式，尽管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外担心美光会采取不同的技术转移策略，让中国处于最低端，因此要慎之又慎。

　　如果未来由英特尔，三星，海力士，台积电，联电，GF及力晶等独资以及“穿马甲”的公司来主导中国的芯片制造业，对于如中芯国际，华力微等企业的成长并非有利。因此要全面正确的认清当前形势，从道理上如中芯国际等企业应该加快研发步伐，在逆境中迅速崛起。

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