铠侠Fab7动工,将生产第六代3DNAND
2月26日消息,全球第二大 NAND 闪存制造厂铠侠 (Kioxia,原本的东芝内存)在日本三重县四日市市举行全新厂房 (Fab7) 的动工仪式。未来将导入全新的生产设备,以生产新一代采用 162 层堆栈技术的内存芯片。
设备投资总额估计达 1 兆日元规模,最快在 2022 年投产 3D NAND 闪存。
铠侠在四日市工厂兴建全新厂房 Fab7,主要目的是为了增产第六代的 3D NAND 闪存「BiCS FLASH」。
在设备投资方面,铠侠的合作伙伴美国威腾电子也有共同参与,厂房建设则是分成前后两期实施,
采用 162 层堆栈技术的 3DNAND 闪存,与现有 112 层堆栈技术的产品相比,数据写入速度可提升至 2.4 倍、芯片尺寸也缩小 4 成。由于当前 5G 通讯普及,铠侠看好数据量将大幅增加,要在数据中心及智能型手机的相关需求方面开拓市场。
此外,铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂旁,也取得约 13.6 万平方公尺的工厂用地。计划在 2021 年的春天动工,目标 2022 年的春天完工。未来要在增产投资的体制方面做好准备,以配合需求量的增加来进行机动性调整。
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