西部数据和铠侠称材料污染影响3D闪存生产
西部数据及其生产合作伙伴铠侠周四表示,用于闪存芯片生产的材料受到污染,影响了日本两家工厂的生产。这是全球半导体短缺持续之际,芯片生产遭遇的又一个挫折。两公司表示,他们正努力使横海市和北上市的工厂尽快恢复正常运营。
闪存是很多电子设备的重要组成部分,取代了磁盘成为数据的主要存储。从苹果的iPhone到超级计算机,所有产品都使用了这种芯片。韩国的三星电子和SK海力士以及美国的美光科技是这类半导体的其他主要生产商。
西部数据和铠侠的声明没有给出何时恢复生产的估计。通常情况下,芯片从一块硅片到可用于电子设备的成品元件需要三个月的时间。
铠侠表示,受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片,该公司“预计其传统2D NAND闪存的发货不会受到影响。”
- •艾迈斯欧司朗发布全新高分辨率dToF传感器 开启精准识别新纪元2025-09-11
- •Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用,推动行业实现规模化量产2025-09-11
- •Melexis“Distance-to-Spot”视觉工作室简化远红外温度传感器的选型流程2025-09-11
- •大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案2025-09-11
- •艾迈斯欧司朗亮相CIOE 2025,重磅发布多款光与传感新品及创新应用2025-09-11
- •兆易创新亮相CIOE光博会,以多元产品线赋能光通信未来2025-09-11
- •安森美将在PCIM Asia 2025展示汽车、工业与AI数据中心前沿电源创新技术2025-09-10
- •搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产2025-09-10
- •Vishay推出具有低直流偏压特性和低介质损耗因子(DF)的一类瓷介径向引线高压直插瓷片电容2025-09-10
- •大联大世平集团推出以芯驰科技产品为核心的车身控制器开发板方案2025-09-10