西部数据和铠侠称材料污染影响3D闪存生产
西部数据及其生产合作伙伴铠侠周四表示,用于闪存芯片生产的材料受到污染,影响了日本两家工厂的生产。这是全球半导体短缺持续之际,芯片生产遭遇的又一个挫折。两公司表示,他们正努力使横海市和北上市的工厂尽快恢复正常运营。

闪存是很多电子设备的重要组成部分,取代了磁盘成为数据的主要存储。从苹果的iPhone到超级计算机,所有产品都使用了这种芯片。韩国的三星电子和SK海力士以及美国的美光科技是这类半导体的其他主要生产商。
西部数据和铠侠的声明没有给出何时恢复生产的估计。通常情况下,芯片从一块硅片到可用于电子设备的成品元件需要三个月的时间。
铠侠表示,受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片,该公司“预计其传统2D NAND闪存的发货不会受到影响。”
- •兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新2026-05-19
- •安谋科技Arm China与国民技术签署Arm Total Access授权许可协议,加速AI时代MCU灵活创新与高效落地2026-05-19
- •Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散2026-05-19
- •年内4轮涨价,王者归来的TI财报披露了哪些行业信号2026-05-18
- •暴涨144%!该龙头财报宣告分销行业超级周期开启2026-05-18
- •今年最大国产芯片IPO,重启!|长鑫科技2026-05-18
- •碳化硅赋能浪潮教程:SiC JFET驱动工业与服务器电源革新2026-05-15
- •Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试2026-05-15
- •东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品2026-05-14
- •艾迈斯欧司朗发布OSLON Black IR:6 C系列:以舱内传感提升驾驶安全,让汽车具备观察与思考的能力2026-05-13






