2027年产能全部卖光！

8月4日，据DIGITIMES援引供应链消息，三星电子、美光及SK海力士三大存储原厂的2027年DRAM与HBM产能已全数完成分配。NAND Flash方面，三星、美光、闪迪的全年产能同样售罄，铠侠与SK海力士预计最迟于8月底前完成分配。

这意味着，尚未锁定产能的买家在2027年可能面临"无货可买"的局面。

HBM占DRAM产能近七成，消费端配额持续被挤压

威刚董事长陈立白日前证实，三大原厂2027年产能早已售罄，HBM与AI服务器相关应用将占据DRAM产能约七成，手机和PC等消费电子产品能获得的DRAM配额将明显缩水。

供应链人士透露，原厂实际能提供的产能额度通常仅达买方提出目标的六至七成。在总产能受限的情况下，原厂优先满足云服务（CSP）及AI大厂的需求，传统消费终端的供给空间被持续压缩。据Fusion Worldwide（孚昇电子）月度报告，通路商在内存与SSD产品线的配额履行率已低于20%，企业级SSD配额不足30%；交易条款普遍采用NCNR（不可取消不可退货），每周价格重设已成为常态。

值得注意的是，此次产能分配模式出现结构性转变。无论是否签订3至5年期LTA长期供货协议，各方买家均需配合原厂的"提前预付订金"模式。业内流传一种说法——"大家都不宣扬，就是怕太多人进来，结果自己分少了"，部分厂商对7至8月是产能分配关键窗口期仍不知情。

2027年供需缺口或较2026年进一步扩大

SK集团会长崔泰源近期表示，2027年AI半导体需求有望较2026年增长60%至100%，整体存储需求增幅估计达50%至60%，供需缺口恐持续扩大，2027年可能面临史上最严重的短缺与供需失衡。

高盛5月31日发布的存储行业报告给出了更具体的量化预测：2026至2028年，全球DRAM供需缺口依次为5.0%、5.9%和3.9%；NAND闪存2026年和2027年缺口分别为4.4%和4.6%，2028年收窄至3.0%；HBM缺口最为突出，分别为5.4%、6.0%和4.3%。整体来看，2027年将是本轮存储供需矛盾最尖锐的年份，且短缺态势有望延续至2028年。

高盛同时指出，HBM生产所需的晶圆产能是普通DRAM的3至4倍。TrendForce数据显示，三大原厂HBM晶圆投入占DRAM晶圆总投入的比重从2025年的18%升至2026年的22%，2027年将进一步升至30%——但HBM比特供应占整体DRAM比特供应仅从8%增至约13%。大量晶圆被HBM消耗，产出的存储容量增量有限，留给手机和PC的内存自然更少。

价格涨幅料趋缓，但"高位常态化"

业界普遍认为，随着主要产能陆续分配到位，2027年DRAM与NAND的价格涨幅有望较2026年的倍数式上涨趋于温和。但"价格高位常态化"将成为新常态——原厂手握产能分配大权，预计仍将维持报价走升，供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。

这一格局与以往存储行业的"两年繁荣、两年衰退"周期形成鲜明对比。过去存储芯片更像随周期波动的大宗商品，而如今通过LTA长约绑定、预付订金机制和产能配额分配，先进存储产能正在变成面向少数大客户的"定向供应"生意。对于尚未锁定产能的手机、PC及汽车厂商而言，接受更高采购价格或在供给上陷入被动，将是2027年面临的主要风险。

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