西数超车三星电子或点燃NAND价格战

　　全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是WD和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。

　　巴伦(Barronˋs)11日报道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了闪迪)在第四季末的生产情况，决定64层3D NAND的增产速度。要是三星认为WD技术赶上，可能会快速增加3D NAND产能。

　　报告指出，反讽的是，近期内东芝/闪迪64层技术发展缓慢，对业界较为有利。倘若WD迅速增产64层3D NAND，三星也会扩产迎击，这么一来，WD可能会流失企业固态硬盘(SSD)市占，SSD是NAND利润最高的市场，而且业界的价格压力也会大增。如今WD进退不得，不能放慢速度，以免对手追上，但是发展太快，又可能导致三星强力反击。

　　三星是第一家开发出3D NAND Flash业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。

　　BusinessKorea 7月20日报道，2013年三星电子率先制造3D NAND，东芝直到今年春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首款的64层3D NAND Flash，比三星快了一季。

　　64层3D NAND Flash极为重要，业界认为64层3D NAND Flash的出现，代表平面NAND Flash时代画上句点。3D NAND Flash采垂直堆叠，可提高存储器容量和速度，表现优于平面NAND Flash。

　　厂商争相投资3D NAND Flash，令人忧心忡忡。据传三星电子平泽厂(Pyeongtaek)将提前投产，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、沦为供给过剩。

　　BusinessKorea 6日报道，NAND需求爆发，据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月，改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工，加上原本的华城(Hwaseong)厂，届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。

　　SK海力士也准备生产3D NAND，仁川厂M14线无尘室正在装设仪器，估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND，估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

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