长江存储华力二期同日开工

来源:中国电子报 作者:--- 时间:2017-01-03 09:10

长江存储 武汉 华力

  12月30日,长江存储的国家存储器基地与华力二期12英寸生产线这两个持续受到业界关注的重大项目,同日举行了开工启动仪式。

  长江存储是国内最大的存储器项目之一,瞄准3D NAND技术,建成后将扭转我国存储器有市场无产品的窘境;华力微电子12英寸生产线建设项目则是“909工程”的二次升级改造,将建设逻辑芯片的代工生产线,建成后将使我国拥有从0.5微米到14纳米各工艺节点的生产平台,追赶国际先进水平。

  12月30日,紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。据了解,此次正式开工建设的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB 厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

  就在同一天,华力微12英寸先进工艺生产线项目也举行了开工仪式。该项目总投资为387亿元,将建设一条月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线,工艺从28纳米起步,最终具备14纳米三维工艺的高性能芯片生产能力。本次开工建设的华力12英寸先进工艺集成电路生产线,是“909工程”的二次升级改造项目,被列为国家《“十三五”集成电路产业重大生产力布局规划》的重点项目,也是“十三五”期间上海最大的产业投资项目。项目建成后,华虹集团将拥有从0.5微米到14纳米各工艺节点的生产平台。根据项目规划,项目将于2017年底完成基建工程,2018年底完成工艺集成、试生产,逐步提高工艺等级和产能并达纲。



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