中国半导体制造再进一步，缩短与台湾差距

　　据最新统计的数据显示，中国在全球半导体制造市场的份额比例进一步上升，其中作为中国最大半导体制造代工厂的中芯国际在全球前四大半导体制造厂中增速最快，与中国台湾的联电进一步缩短了差距。

　　目前全球前四大代工厂分别是台积电、GF、联电和中芯国际。台积电凭借着领先优势正在进一步拉开差距，2016年其在半导体代工市场的份额进一步抬升到59%，老大地位无可动摇。

　　GF在经过几年的停滞后，去年罕有的取得了10%的营收增长，因它从三星购买来14nmFinFET工艺，赢回了部分AMD的订单，市场份额维持在11%。

　　第三位的联电，前年录得负增长，去年总算勉强取得3%的增长，不过由于其他三家代工厂的营收增速更快导致它的市场份额出现下滑，跌落到9%，位居第三位。

　　去年最值得惊讶的是中国大陆的中芯国际了，其营收录得31%的增长，继前年取得营收高速增长后去年的增速进一步提速，市场份额提升至6%，与联电的营收差距进一步缩窄，这与中国市场的芯片设计企业迅速成长有很大关系，此外也与全球芯片霸主高通的大力支持有重要关系。

　　受中国反垄断调查的压力，高通在2015年选择与中芯国际合作，帮助后者提升工艺制程，同时将部分芯片订单交给后者。在高通的帮助下，中芯国际的28nm工艺迅速在2015年量产，更在去年成功将工艺改进到28nmHKMG，与联电处于同一水平。

　　联电眼下14nmFinFET工艺进展缓慢，导致它未能在去年底成功量产，最终只能在厦门的12寸晶圆厂引入40nm工艺，台湾方面要求联电和台积电必须在台湾投产领先在大陆建设的晶圆厂一代工艺。

　　中芯国际在先进的28nmHKMG开始投入生产后，大陆的芯片设计企业就无需再前往台湾，而这一市场自2014年中国推出的集成电路产业基金成立以来芯片设计企业开始日益兴盛，凭借着这种地利优势它的营收于是取得了迅速的增长。

　　今年和明年中芯国际的最大挑战就是其14nmFinFET工艺能否如期投产了。台媒方面指联电将在今年投产期14nmFinFET工艺，这样其厦门工厂应该能在今年引入28nmHKMG工艺与中芯国际竞争，明年台积电的南京12寸晶圆厂投产预计会引入16nmFinFET工艺。

　　如果中芯国际不能在明年顺利投产14nmFinFET工艺，这将给它带来重大挑战，不过早在2015年中它与高通、华为、IMEC等达成合作加快该工艺的研发，近期再获得领导台积电16nmFinFET工艺研发的蒋尚义加盟，更传可能揽得FinFET工艺研发的领先者梁孟松，梁孟松是台积电和三星FinFET工艺的重要功臣。

　　半导体先进工艺对于一个国家的芯片产业极为重要，中国的华为海思、展讯已居于全球芯片设计企业前十，但是它们都曾台积电优先将先进工艺产能提供给高通、苹果等体量更大的芯片设计企业，更不要谈大陆其他体量更小的芯片设计企业了，其实也正是因为中芯国际取得的进步才迫使台积电和联电进入大陆开设晶圆厂并引入更先进的工艺。

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