联电宣布 14 纳米 FinFET 制程正式进入客户芯片量产阶段

联电宣布 14 纳米 FinFET 制程正式进入客户芯片量产阶段

　　晶圆代工大厂联华电子(以下简称联电)23 日发出消息宣布，该公司所自主研发的 14 纳米鳍式场效电晶体 (FinFET) 制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。联电表示，目前出货给主要客户的 14 纳米量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水准，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

　　联电CEO颜博文表示，此次 14 纳米量产里程碑的达成，是联电与客户携手努力的成果。这象征了我们已成功地以合作模式，将先进技术导入市场。同时，联电与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥 14 纳米 FinFET 在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

　　联电表示，联电的 14 纳米 FinFET 制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较 28 纳米增快 55%，闸密度则达 2 倍。此外，14 纳米制程的功耗亦较 28 纳米制程减少约 50%。此 14 纳米客户芯片现正于联电台南的 Fab 12A 晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其 14 纳米产能。

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