大陆三阵营要打破存储器仅占1%窘境

大陆三阵营要打破存储器仅占1%窘境

　　全球存储器商机上看80亿美元，然大陆产值竟然仅占1%，且是由非主流的利基型存储器(SDRAM)和NOR Flash贡献，一语道出大陆心急如焚硬闯DRAM和3D NAND的苦楚，更让三大阵营紫光集团旗下的长江存储、联电的福建晋华、北京GigaDevice明争暗斗抢当一哥，而当地中、小企业则是另辟蹊径敲门新式记忆体MRAM，大家兵分多路就是想突破存储器这道铜墙铁壁。

　　SEMICON China 2017盛大登场，存储器储存产业成为2017年的重头戏，但尴尬的是，大陆在DRAM和3D NAND主流存储器发展路上，仍是处于洒种子阶段，但因为内需市场庞大，仍吸引美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、威腾(WD)等国际大厂来助阵!

　　全球存储器市场规模高达80亿美元，包含DRAM、SDRAM、NAND Flash、NOR Flash等，然其中，大陆供应商贡献的存储器产值却仅1%，主要是由北京兆易创新(GigaDevice)等利基型存储器贡献，完全没有主流的产品，因此大陆亟需DRAM和NAND Flash产业落地生根。

　　现在大陆的存储器分为三大阵营，第一是长江存储，其购并武汉新芯后，分头发展DRAM和NAND Flash两大技术，生产基地为北京、武汉、南京;第二为联电的策略联盟伙伴福建晋华，生产基地在晋江，专职于DRAM技术研发;第三大阵营是由北京GigaDevice领军，其购并美商矽成(ISSI)后，发展NAND Flash、NOR Flash、SPI Flash、MCU，总部位于北京。

　　JEDEC也指出，在各种NAND Flash应用中，消耗量最大的是智能手机，占整个NAND Flash应用36%、固态硬碟(SSD)占24%、快闪记忆卡占16%、Tablet PC占15%、消费性电子占5%，其他为4%。

　　再者，3D NAND技术在2015年、2016年开始起步，预计2017年是大放量年，全年3D NAND占整个NAND Flash市场可达36%，预计2018年比重3D NAND可一举超过54%，成为整个产业的主流。

　　目前量产的3D NAND技术在32层堆叠和48层堆叠，2017年下半可进入64层和72层堆叠技术，进入2020年左右可以到达96层堆叠技术。

　　美光的先进存储器解决方案副总Dean A. Klein表示，储存技术从最早期的Magnetic Tape、Drum Memory、Core Memory到硬碟(Hard Disk)，一直到1966年DRAM出现，看似已经是存在很久的产品，但相信老狗可以变出新把戏(Teach an old dog new tricks)。

　　Klein进一步表示，传统的2D平面式存储器走到尽头后，3D NAND技术衔接上来，很多创新的架构和介面问世，以及封装技术和3D整合等技术让存储器的应用更为多元化，还有许多新架构存储器的诞生如MRAM、XPoint Memory等。

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