Galaxy S8被曝混用UFS 2.1/2.0闪存 新iPhone或将加剧国产供应紧张

华为P10的闪存风波还未完全过去，三星也接着被曝Galaxy S8混用 UFS 2.1/2.0闪存。与华为不同的是，三星在宣传之初便已明确标明了Galaxy S8系列使用UFS2.1的闪存。

　　三星官网此前有明确UFS2.1标识

　　虽然UFS2.0速度并不会比UFS2.1慢多少，但经过华为P10的闪存事件之后，国内消费者在这块可谓锱铢必较，三星若出现这样的事情必将引起消费者的反感，特别是作为一个韩国手机品牌。

　　三星混用多规格多供应商闪存 缺货缓解仍需时日

　　三星这次混用不同规格的闪存，想必也是为了保障自家手机的出货量，毕竟这两代的Galaxy系列都是“5000万+”的出货量。这一年来，手机各零部件都出现了不同程度的缺货，其中最严重的莫过于闪存了。而三星作为全球最大的NAND供应商，不仅是UFS 2.1最早量产的厂商，也是目前唯一一个量产256GB容量UFS 2.1闪存的公司，在今天看来，似乎要做到自给自足的产能还有待提升。

　　三星自家品牌手机对高规格的闪存提出了巨大的需求，必然将挤压三星对其他厂商的闪存供应。从这周起，一加手机3T的128GB版已经在北美市场正式停止供货，一加美国官网中这款手机目前已经显示出“停售”字样。

　　一加美国官网

　　一加3T 128G版本在海外停售，很有可能是高规格大容量的闪存缺货导致的。不管是国产机还是国际品牌，旗舰机都发布了128G 版本，而随着Galaxy S8相继在全球迎来发售，128G容量的闪存必然迎来巨大需求。

　　众所周知，全球目前主要有六家公司能够生产闪存，分别为英特尔、镁光、东芝、闪迪、海力士以及三星，在这六家中，英特尔家的闪存基本上都是自产自用，并不对外销售，而闪迪业务线主要是手机存储卡，镁光的UFS芯片在今年下半年才开始出货。所以严格来说，手机厂商能够选择的只有东芝、海力士以及三星这三家企业。据DRAMeXchange最新统计数据显示，三星公司2016年NAND业务营收达到了141.51亿美元，比上一年增长了34%。而尽管东芝在NAND市场排名第二，去年营收为78.98亿美元，同比增长了18.4%，但与三星的差距还是非常大的。三星在2D NAND时代制程工艺就领先其他厂商，3D NAND时代同样保持优势，2013年就开始量产V-NAND闪存了，而其他公司在2015年甚至2016年才大规模量产3D NAND闪存，落后三星两三年的时间。虽说从去年底到现在，东芝/西数、SK Hynix、美光/Intel都加大了投资力度建设新厂，大幅提升3D NAND闪存产能，但对于大容量闪存来说依然处于产能爬升的阶段，对于旗舰常用的高容量高规格闪存的缺货缓解起不到太大的作用。

　　在高规格的闪存供应上，能选择的厂商并不多。在一份Galaxy S8拆解报告中显示，Galaxy S8上使用了东芝THGBF7G9L4LBATR 64GB UFS(NAND闪存+控制器)，这也从侧面的说明了大容量高规格闪存的稀缺。