传三星今年资本支出较去年增长85.6% 达219.5亿美元
三星为攀上全球半导体龙头,不惜砸重金拼了,传今年资本支出将大幅加码逾十万亿韩元。
新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测,三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 万亿韩元(约 219.5 亿美元),较 2016 年成长 85.6%,且将超越 2015 年的 14.7 万亿韩元成为三星史上新高。(businesskorea.co.kr)
存储器目前供不应求,也是三星今年布局的重点,预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测,光是 NAND 快闪存储器,三星就将砸下 12.05 万亿韩元(约 108 亿美元),非存储器部门(包含晶圆代工)则占 8 万亿韩元。
三星 NAND 快闪存储器量产技术领先,分析师看好三星借由新增投资,可趁机扩大市占率。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)数据显示,三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%,遥遥领先第二名东芝的 18.3%。
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