美光宣布GDDR6完成设计与内部认证 预计2018年量产

　　目前市场显示卡所建置的存储器，从GDDR5到GDDR5X与HBM2都已流行一段时间了，最新的GDDR6还没有听到太多消息。

　　如今，美系存储器大厂美光(Micron)日前宣布，已完成12Gbps和14Gbps GDDR6的设计和内部认证。

　　美光曾表示，打算在2018年上半年量产GDDR6，现在可让这个计划继续发展下去了。

　　与上一代GDDR5X是单频道存储器相比，GDDR6将拥有双频道，以及加装pitch的FBGA180阵列封装，兼容与前代不同的差异。

　　预计未来GDDR6推出后，使用者将有完全不同的使用体验。

　　对美光宣布完成12Gbps和14Gbps GDDR6的设计和内部认证，业界人士表示，这意味着美光已完成GDDR6开发过程中最困难的部分，随后美光应该会将精力转向更高速的GDDR6芯片研发。

　　目前美光研发人员正朝着16Gbps GDDR6的方向迈进，最大的挑战，不再是资料传输方面，而是储存单元本身。

　　因为GDDR标准更新，通常只针对存储单元不断提升的频率。

　　如今资料介面传送速率也不断提升，发展瓶颈就不在资料传输介面部分。

　　美光指出，虽然GDDR6将是2018年性能最顶尖的显示卡存储器，但并不意味着GDDR6会很快取代GDDR5，接下来一段时间还会继续生产GDDR5显示卡存储器，如美光现在量产全新1x纳米制程8Gb GDDR5显示卡存储器。

　　即使GDDR6大规模市场铺货，仍会有段调整期。比起价格高昂的GDDR6，显然GDDR5会更适合现在的主流显示卡。

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