群联支援美光64层3D NAND 抢先卡位96层主流制程

　　群联为因应智能移动存储市场进入128GB、甚至是256GB的大容量等级需求，群联27日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制芯片将全系列支持美光64层3D NAND Flash，亦已准备次世代96层技术研发，不但协助客户在智能移动设备市场扩大产品战线，亦为客户卡位车联网商机作好准备。

　　2018年全球移动通讯大会(MWC)登场，应用于智能手机的AI运算、AR虚拟应用、身份识别、GIF贴图、4K HDR影片录制以及环绕音场等创新功能成为各大国际手机厂发表新机之亮点，为能满足这些多媒体功能存储需求，今年度的智能新机之内嵌式存储器容量全面跃升至128GB、甚至是256GB的储存容量等级。

　　从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看，非苹阵营的国际智能新机之内嵌式存储器eMMC/eMCP的储存容量规格提升至128GB，至于全球前两大智能手机厂主攻的旗舰新机则不约而同皆搭载256GB的UFS内嵌式存储器，除了为2018年智能新机大容量存储规格赛正式鸣枪开跑，亦同步宣告64层甚至更高层数的3D NAND Flash技术正式接棒成为快闪存储器的主流制程。

　　群联表示，从快闪存储器技术演进来看，当容量需求快速增加，甚至是倍增之时，2D的平面生产技术已不能满足终端应用之需求。就2D的NAND Flash之限缩每个储存单位、同时增加同一层存储密度的微缩技术已逐渐接近物理极限，因此导致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水准。至于3D 之NAND Flash技术，则透过垂直立体堆叠存储单元的方式，突破容量上限的瓶颈，其最高容量将可倍增至256Gb(32GB)，并可提升读写信息的效能。

　　有鉴于市场应用，再依据目前各大国际快闪存储器制造大厂的3D NAND Flash制程演进来看，群联电子看好，64层的3D NAND Flash将为今年最大宗的主流技术，因此除了领先同业推出的可支援该制程技术的高速UFS控制芯片PS8313之外，包括既有热卖的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制芯片皆同步支持东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash，另方面，进一步支持次世代的96层3D NAND Flash之先进制程技术的控制芯片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且长期完整的产品规划满足移动移动设备、车联网等客户扩大全球市场布局之需求。

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