预期2018年以后全球NAND Flash产能供给将以每年平均40%速度稳定成长

　　全球资料经济快速成长，极速增加的数据量对存储器提出更高要求，对于NAND Flash芯片需求量亦持续增加，美光执行长Sanjay Mehrotra日前表示，尽管全球存储器厂商纷扩增旗下NAND Flash产能，预期2018年以后全球NAND Flash产能供给将以每年平均40%速度稳定成长，然因与NAND Flash市场需求增长态势相当，众厂扩产动作不一定会导致产能过剩问题。

　　全球存储器芯片供应商均观察到NAND Flash市场需求增长态势，包括三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、威腾(WD)及美光等，持续投资扩增NAND Flash产能，美光更预期NAND Flash需求增长将会远超过DRAM。

　　美光认为，随着NAND Flash存储器从2D转向3D世代，生产制造的资本需求大幅增加，相较于先前2D NAND Flash世代，第一代32层3D NAND Flash在每片晶圆产出位元数量虽显著增加，然在每一接续世代节点转换时，不仅资本支出随之增加，每片晶圆产出位元的增长速度亦减缓下来，过去3年来NAND产能供给成长幅度维持在约40%，未来即使资本支出有所提升，预期产能增长速度亦将维持在约40%的水准。

　　以美光的情况为例，为取得更好的投资报酬率，并领先竞争对手，美光持续投资先进制程节点开发，在2013年时，美光仍以20纳米制程生产MLC 2D NAND Flash，当时相较于竞争对手约有65%的成本劣势，然过去几年美光持续加码先进制程资本支出，目前在3D NAND Flash市场已站稳领先群角色，2017年成本优势已超过竞争对手达15%。

　　事实上，美光旗下NAND Flash业务转折点可说是始自2015年，当时美光与英特尔合作导入CUA(CMOS under Array)架构，转型到32层3D NAND Flash，正是该架构替美光带来显著的成本效益，2017年64层3D NAND及2018年96层3D NAND均沿用CUA架构，第四代3D NAND更结合CUA架构与Charge Trap Cell技术，可增加频宽逾30%，并降低功耗至少40%，以符合未来多重终端市场的需求。

　　美光预期2017~2021年NAND Flash需求将以年复合增长率40~45%的速度成长，其增长动能大多数来自于更多先进客户端与企业用SSD需求挹注，且随着高画质影音及影像需求更多的移动储存空间，移动市场亦将是带动NAND Flash需求增长的关键动能之一。

　　根据美光提供的资料显示，2013~2017年NAND Flash需求增长325%，且绝大多数来自于移动NAND的增加，同时客户端和企业用固态硬碟(SSD)采用量亦增加，这是由于服务器厂商持续以SSD取代传统HDD。

　　硬碟供应商威腾于2016年收购第二大SSD厂商闪迪，英特尔亦开始生产3D NAND及企业用SSD，以搭配自家服务器处理器使用，如今由闪迪延揽来的美光执行长Sanjay Mehrotra及重要干部，正带领美光营运发展及改善旗下SSD产能与产品结构。

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