三星推LPDDR5内存芯片 采用10nm级工艺

三星推LPDDR5内存芯片 采用10nm级工艺

　　三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片，之后，就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。昨日消息，三星宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级工艺。据悉，该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB)，8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。其内存带宽最高可达6400Mbps(1.1V工作电压下)，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。与此同时，功耗比LPDDR4X降低高达30%，主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术的加入。

　　新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分，后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，三星称，5G和AI将是其主力服务的场景。三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码