存储市场供大于求，三星利润增长放缓
7月31日，三星电子发布截至2018年6月30日的第二季度财报。财报显示，公司该季度营收58.48万亿韩元(约合523亿美元)，同比下滑4.13%;营业利润14.78万亿韩元(约合133亿美元)，同比增长5.71%;净利润11.04万亿韩元(约合98亿美元)，较去年同期下滑0.09%。
图片来源：21世纪经济报道
在营收结束连续6个季度上涨的同时，三星电子利润增长也大幅放缓，这主要是受三星手机业务部门的拖累。受全球智能手机市场增长“几乎停滞”及三星旗舰机型表现平平的影响，三星手机业务该季度营业利润降至2.67万亿韩元，较去年同期的4.06万亿韩元下滑34%。
相比之下，半导体业务部门表现似乎很亮眼，以37.6%的营收贡献了公司78%的营业利润。营业利润额11.6万亿韩元，实现了44.6%的同比增长。但相较此前5个季度分别达140%、204%、196%、120%和84%的同比增长率，三星半导体业务增速放缓的趋势也愈发明显。其中包括贡献了三星半导体84%营收的存储业务，它曾成功帮助三星在2017年打破了英特尔25年的垄断、成为新晋“全球第一大半导体厂商”，如今又成为三星半导体增长放缓的源头，引起外界对其未来的担忧。
“超级周期”或终结
过去两年是存储价格猛增、市场空前繁荣的两年。
综合数据显示，2016年第一季度，全球DRAM营收为85.6亿美元，较2015年第四季度的102.7亿美元下降16.65%。不过此后，DRAM市场规模一路攀升，开启了长达2年的“超级周期”。到2018年第一季度，该市场规模已增至230.8亿美元，较2016年第一季度涨幅达169.63%。
一同进入“超级周期”的还有存储领域另一主要市场——NAND闪存。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)数据显示，2016年第一季度，全球NAND市场总营收为80.64亿美元，较此前一个季度的83.07亿美元略降2.9%。但此后，该项数字几乎连续季度增长，到2017年第四季度已增长至162.35亿美元，较2016年第一季度涨幅超过101%。
世界半导体贸易统计协会(WSTS)数据显示，2016年全球存储元器件市场规模为767.7亿美元，较2015年的772.1亿美元略微有所下跌。不过到2017年，该市场规模已爆增至1239.7亿美元。WSTS预计，2018年和2019年存储市场规模将分别为1567.9亿美元和1625.5亿美元，增速将在随后明显放缓。
2018年第一季度，全球NAND市场已初现衰退，总营收降至157.41亿美元，降幅约为3%。
有报告显示，若要保持NAND闪存位元每年40%的增长率，该产业2017年和2018年(预计)实际所需投资应均为220亿美元。然而实际上，几大厂商的投资2017年达到280亿美元，2018年更是将达310亿美元，分别超出实际所需27%和41%。
报告显示，“2018年初NAND闪存价格已开始下滑，预计第二季度以及之后的2019年该下滑趋势仍将延续。”
“就NAND来说，现在业界的担忧在于，由于3D NAND产出大幅增加，导致价格持续下跌，该市场早已进入供过于求的格局。”集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)资深协理吴雅婷对21世纪经济报道记者表示，“DRAM方面，虽然没有因为制程转进而出现位元成长大幅增加的状况，但在三大厂持续扩增产能的带动下，供给也是在逐步增长，可以说正要迈入供过于求的局面。”
在她看来，目前3D NAND市场最大的问题就是供给增速过快，已远大于需求。“这主要是因为制程从2D转向3D，使得位元成长大幅增加。”吴雅婷表示，“同时在高度竞争的市场架构下，每家厂商都大幅增产，以维持市场占有率，导致供过于求的情况比DRAM市场严重。”
不过，对于该“超级周期”到期的具体时间节点，吴雅婷表示：“DRAM和NAND闪存市场的趋势始终还是要回归到供需之间的关系，以两年期这样的时间点划分可能并不完全正确。”
中国厂商入局具指标意义
经历过早期的厂商整合与调整，如今全球DRAM产业已进入“三大厂”的寡头格局：DRAMeXchange数据显示，在2018年第一季度，三星、SK海力士和美光这三大厂市占率分别为44.9%、27.9%和22.6%。
至于NAND市场，外界也猜测最终会形成和DRAM市场一样高度集中的局面。2018年第一季度，三星、东芝、闪迪/西部数据、美光、SK海力士和英特尔这六家厂商在NAND市场的占有率分别达到了37%、19.3%、15%、11.5%、9.8%和6.6%。
不过，在上述市场均表现强势的美光科技7月初曾在中国遭遇重挫。7月3日，福建晋华和台湾联电分别通过各自官网发布声明，称因美光涉嫌专利侵权，福州中院已对其发布“诉中禁令”，裁定美光立刻停止在中国销售、加工、制造、进口旗下数十款DRAM和NAND产品。
集邦咨询DRAMeXchange预计，2018年中国内需市场消化的全球DRAM和NAND 闪存产能分别为20%和25%。其中，美光科技20%的NAND 闪存产能和26%的DRAM产能均依赖于中国市场。
当时的分析就认为，美光面临在中国市场禁止销售部分产品的风险，加上中国厂商将于2019年正式入局，该市场的全球销售版图恐将发生洗牌。不过，美光依然有上诉权利，此案的后续影响将是全球存储器产业关注的焦点。
目前，有三家中国半导体厂商正在进军存储领域，包括投入NAND 闪存市场的长江存储，专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华。
“他们皆会在2018年完成初期产品的开发，并在陆续试产之后，于2019年上半年宣布量产。”吴雅婷表示，“虽然到2019年年底为止，这三大阵营的产能规模都还很小，但对整体存储市场来说，仍是代表新进者的正式加入，具有指标性意义，三家中国厂商接下来的发展值得密切关注。”
在此前评论东芝闪存芯片(TMC)业务出售对NAND市场的影响时，数字存储行业分析师Tom Coughlin也曾表示，与其说走向集中，存储市场将拥有更多玩家。“这是多家中国闪存制造商崛起推动的结果。显然，闪存行业的整合还未完成。”他写道。
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