群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货

群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货

　　快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导群联昨(6)日正式宣布，搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。

　　群联董事长潘健成表示，QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代!

　　潘健成指出，各国际快闪存储器(NAND Flash)制造原厂陆续突破3D堆栈技术良率瓶颈后，技术演进正快速发展，次世代规格QLC的3D NAND Flash颗粒如今较预期提前一个季度于近期推出，该技术进程速度令业界专家都跌破眼镜，亦为SSD扩大渗透率带来新动能。

　　由于群联领先同业在今年上半年正式取得搭载QLC的一系列主控芯片测试验证、以及推出最新版之纠错保护机制，而今水到渠成，因应客户需求甫于近日出货搭载64层QLC之SSD控制芯片PS3111-S11T解决方案。

　　最新64层QLC之3D NAND Flash单颗容量即可达128GB，搭载群联PS3111-S11T解决方案应用于SSD上的容量从258GB起跳，并搭配群联电子自有第4代Smart ECC纠错机制套件，让大容量的QLC优势亦能兼具速度效能，不论是连续读取或是写入之效能皆能维持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水平。

　　至于随机读取/写入(IOPS)速度亦可维持在33万~61万次，以及85万~88万次高效能，终端应用也将因为产品属性符合低价大容量，将适合通路客户拓展互联网服务业、中小型企业等更多元创新的应用市场布局。

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