美系外资看淡明年存储器产业行情，预警DRAM全年要出现复苏的机会不大

　　美系外资看淡明年存储器产业行情，预警DRAM全年要出现复苏的机会不大，虽然NAND有机会在下半年出现稳定，但整体存储器潜存进一步恶化的风险，供应商定价仍有明显的下修风险。

　　美系外资认为，近两个月存储器价格大幅下修，生产商转移价格困难，出现库存过剩的情况，预估年底前出货量将持续下降，DRAM面临短期供需失衡的情况恐递延，高库存情况恐延续到明年第1季，明年恐将出现供应通货膨胀的状况，在供应需求不平衡的情况下，市场将对定价续存疑虑，明年全年可能不会出现复苏的风险增高。

　　NAND虽也面临市场悲观情绪，美系外资指出，NAND预估在明年下半年有机会出现稳定;由于看淡存储器产业，美系外资预警存储器价格恐持续走跌。

　　然而，半导体封测大厂南茂董事长郑世杰今(17)日表示，明年存储器和驱动IC封测看佳，扩产存储器封装新品，预估第2季之后整体业绩逐季成长。业内人士预计，南茂明年业绩有望年增1成。

　　展望明年营运，郑世杰表示，明年第1季业绩有望符合季节性淡季表现落底，第2季开始有望逐季增温，预估下半年业绩表现走扬，主要在存储器封装出货可明显放量，明年下半年驱动IC封测产能有望填满。

　　郑世杰指出，南茂持续深耕车用与工业用产品封测，此外整体封装和测试产能，都有产能保证，持续掌握3年产能保障协议。

　　业内人士预估，南茂明年第2季业绩开始有望逐季成长，明年整体业绩有望较今年成长1成，目前车用和工业用占比约9%到10%区间。

　　展望明年资本支出，南茂预期，明年资本支出规模约年营业额20%到25%水准，明年超过一半资本支出主要以驱动IC封测为主。

　　在DRAM部分，郑世杰指出，目前除了移动存储器之外，也深耕多项DRAM封装新品，预估明年第1季有望完成，预期下半年新品业绩有望发酵，明年DRAM封装业绩成长可期。

　　在Flash部分，南茂表示，在NAND型快闪存储器封测新品持续进行，明年下半年有望发酵。

　　业内人士指出，南茂持续与美光维持密切合作，南茂给美光DRAM封装全产能或能达到每月5000万颗。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码