新产能Q2后发酵 NAND Flash跌价压力仍在

新产能Q2后发酵 NAND Flash跌价压力仍在

　　由于NAND Flash价格去年大跌，导致三星、SK海力士、东芝及西数、美光及英特尔等四大阵营在去年底减少晶圆产出，下修今年资本支出并推迟96层3D NAND扩产计划，的确让第一季NAND Flash价格出现缓跌情况。不过，随着上游原厂96层3D NAND新产能将在第二季后开出，加上三星、美光、东芝等新厂在下半年量产，业界预估供给过剩及跌价压力仍在。

　　去年上半年因为64层及72层3D TLC NAND产能开出，且单颗NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，与2D NAND制程的单颗NAND Flash容量仅128Gb/256Gb相较几乎翻倍，也因此，去年NAND Flash价格一路走跌，去年底每GB价格跌破0.1美元并创下新低纪录，NAND Flash厂也面临营业利益明显缩水压力。

　　为了减缓NAND Flash跌价走势，包括三星、美光等上游原厂在去年底减少晶圆产出，并下修今年资本支出及推迟96层3D NAND新产能开出速度。但因苹果iPhone销售不佳，智能型手机生产链进入库存调整，需求端明显进入衰退，让上游原厂减少供给的意图大打折扣，第一季NAND Flash价格续跌，只是跌幅略有缩小。

　　市场虽然预期智能型手机生产链第二季库存去化完成后将重启NAND Flash采购，且供给端并无新产能开出，价格应可持稳，但因各家NAND Flash上游原厂将在第二季开出96层3D NAND新产能，且下半年后新厂也将加入量产，模组业者对NAND Flash价格看法仍然保守，预期跌价情况恐会持续到今年中。

　　据业界消息，各家NAND Flash原厂的新厂将在下半年后进入量产阶段，其中规模最大的是三星的西安厂第二期，第三季将量产512Gb容量96层3D NAND。美光Fab 10第三期预期会在今年第四季进入量产，投产产品以512Gb容量96层3D NAND为主。至于东芝及西数合资的Fab7将在会下半年完工，明年第一季512Gb容量96层3D NAND会开始进入量产阶段。

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