美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化

来源:快科技 作者: 时间:2019-08-15 11:28

美光 Nand闪存

  日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典,包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。

  除了美国本土之外,美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂,2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心,又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力,新盖了无尘室等生产设施,提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

  不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下,美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂,但并不打算增产NAND,通过资本开支调整、技术转换等方式,Fab 10厂区的总产能不变。

  美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化,目前96层堆栈的3D闪存已经量产,而在第四代3D闪存上会有重大变化,128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。

  在2D闪存时代,各大厂商基本上都是以FG浮栅极技术为主,转向3D闪存之后三星率先使用了CTP电荷陷阱技术,其他厂商也陆续跟进,只有美光、Intel有所不同,双方在3D闪存技术发展上也产生了分歧,据说这就是两家公司在96层堆栈3D闪存之后决定分手、互相独立研发生产的关键,Intel会继续坚持浮栅极。

  在美光之外,其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。

美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化



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