3nm首发新工艺，三星FinFET会在5nm后被取代

　　7nm工艺的产品现在已经很成熟，基本踏进7nm的工艺时代，而PC市场Intel也终于要开始10nm工艺芯片的出货。工艺之争对于晶圆巨头来说，越来越激烈。

　　在三星日前的一场技术交流活动中，三星重新制订了未来的节点工艺细节。三星表示，EUV后，他们将在3nm节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺。由于FinFET的限制，预计在5nm节点之后会被取代。

　　对于三星来说，5nm工艺实际也只是7nm LPP的改良，可以被看作是第二代EUV。7nm LPP向后有三个迭代版本，分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。

　　比较去年的泸县路，三星6LPP只是简单地引入SDB，从而提供了1.18倍的密度改进。另一个改变是删除4LPP节点，在路线图上只留下4LPE。三星将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。

　　根据理解，按照工艺核心指标，5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM，但性能增强了11%，UHD下的密度会接近130 MTr/mm2，终于第一次超过了Intel 10nm和台积电7nm。

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