赛晶科技自主技术IGBT生产线进入试生产阶段

      赛晶科技6月23日晚公告，旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司于6月23日举行了绝缘栅双极晶体管（IGBT）生产线竣工投产仪式。这标志着其IGBT生产线进入试生产阶段。

　　赛晶科技董事会主席项颉表示：“一旦公司产品批量供货，项目产能释放，有望帮助市场与企业解决缺货问题，缓解国内供需失衡的现状。同时，公司会加快IGBT系列产品的研发、推进后续生产线的建设，力争尽早让赛晶品牌IGBT出现在千千万万的电动汽车、风力发电、光伏发电、工业变频设备中。”

　　据了解，目前中国大陆处于功率半导体器件供应链的相对末端，产品以二极管、晶闸管、低压 MOSFET等低功率半导体器件为主，中高端功率MOSFET和IGBT自给率不足10%，而功率半导体是未来可预见的自主可控进度最快的细分领域之一。其中，IGBT被视为电力领域的“CPU”，对新能源汽车、轨道交通、智能电网、节能环保等众多国家战略性新兴产业的发展具有重要意义。

　　赛晶科技IGBT项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线，5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能将达到200万件IGBT模块产品。公司IGBT产品应用将涵盖600V至1700V的中低压领域，面向电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

　　赛晶科技表示，IGBT生产线的投产有助于提高公司的市场竞争力，对未来的经营业绩带来积极影响。由于生产线从投产到达产尚需一定时间，预期产能的释放需要过程；同时，短期内还有固定成本增加的压力，投资者应注意投资风险。