硅晶圆大厂激进扩产第三代半导体 群雄争抢下一代电动车“入场门票”

来源:财联社 作者: 时间:2021-12-23 10:44

硅晶圆 环球晶 第三代半导体 GaN SiC

12月22日报道,半导体硅晶圆厂环球晶宣布,明年将启动扩产第三代半导体,GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)产能均将翻倍增长。

具体来说,SiC方面,明年公司将进一步延伸SiC制程;同时,计划在美国扩充SiC外延片产能,计划1月引进设备,新产能也已被客户抢购一空。

环球晶透露,若未来市场需求无虞、公司量产顺利,则计划将目前的新竹竹科6寸硅晶圆厂转向生产第三代半导体,届时该厂的SiC外延片年产能可达100万片。

另一方面,晶圆代工厂也同样没有错过第三代半导体这一契机。

龙头台积电在GaN投入多年,目前已小批量提供6寸晶圆代工服务。同时,针对车用领域,公司也与意法半导体合作开发GaN制程,而Navitas(GaN消费市场龙头)、GaN Systems等厂商也已在台积电投片,生产高压功率半导体器件。

世界先进的8寸GaN on Si研发方面,已有超过10家客户进行产品设计,台湾电子时报指出,该技术可靠性与良率已接近量产阶段。

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新能源带来广阔空间 衬底将成为“入场门票”

各方竞相入局的背后,是新能源汽车带来的广阔增量空间。

一是新能源汽车本身。据三安光电副总经理陈东坡预计,在2023-2024年,长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都将导入SiC器件;

二是高压快充平台。SiC可满足800V电压平台需求,还具备进一步拓展至1200V电压平台的潜力。目前车企打造800V高压平台都是从IGBT入手,以SiC器件取代硅基IGBT。

也正是由于新能源带来的蓬勃需求,叠加第三代半导体的较低基数,环球晶认为,多方加码、行业产能大幅提升下,未来市场供需仍将维持在健康态势。且明年半导体整体增幅将大于今年,包括第三代半导体。

值得注意的是,从罗姆、安森美、台积电等大厂动作来看,各家都在竭力向上游延伸,入局外延片、衬底(外延片所用材料)等环节。

正如环球晶今日强调,目前第三代半导体主要瓶颈便在于外延片。集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄也在日前指出,由于价值占比、供应链、技术、专利壁垒高企,衬底是SiC晶圆产能的关键制约点,未来取得SiC衬底资源将成为进入下一代电动车功率器件的入场门票。

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