国内首款，1.6Tb/s硅光芯片研制成功，加速国产替代进程

国内首款1.6Tb/s硅光互连芯片研制完成

近日，国家信息光电子创新中心、鹏城实验室、中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室、武汉光迅科技股份有限公司，在国内率先完成了1.6Tb/s硅基光收发芯片的联合研制和功能验证，实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越。

据介绍，研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了8个通道高速电光调制器和高速光电探测器，每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的光电和电光转换，最终经过芯片封装和系统传输测试，完成了单片容量高达8×200Gb/s光互连技术验证。

该工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平，展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势，为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

硅光或成为下一代通信技术

目前，国际上400G光模块进入商用部署阶段，800G光模块样机研制和技术标准正在推进中，800G和1.6Tb级网络成为行业技术创新突破的焦点。随着数据中心以及5G时代运营商数据中心网络持续快速建设，下游运营商及数据中心对光模块的关键需求依旧会是是高速率、高密度、低成本和低功耗。

传统的可插拔光模块由于功率及尺寸限制，难以承担高密度高速率的光路最后一米传输，此外由于铜传输电信号的速率瓶颈，未来芯片与芯片间的传输将呈现光进铜退的趋势。硅光集成技术或成为未来应对这些挑战的可靠方案。

光芯片是光通信系统中的关键核心器件，硅光芯片作为采用硅光子技术的光芯片，是将硅光材料和器件通过特色工艺制造的新型集成电路。硅光具备超高兼容性、超高集成度、强大的集成能力、强大规模制造能力等技术能力，未来潜在优势明显，是目前前沿厂商聚焦的焦点。

与传统分立式方案相比，硅光模块将多路激光器，调制器和多路探测器等光/电芯片都集成在硅光芯片上，体积大幅减小，有效降低材料成本、芯片成本、封装成本，同时也能有效控制功耗。硅光模块凭借上述优势有望在数据中心和中长距离相干通信等应用场景取得更大份额，或将改变传统竞争格局。