俄罗斯制定半导体发展计划2030年实现量产28nm

俄罗斯制定半导体发展计划2030年实现量产28nm

4月18日消息，由于面临制裁而无法从常规供应商处获得芯片，俄罗斯正在拟定计划，以重振其境况不佳的本地半导体制造业，新芯片计划涉及未来8年相当大规模的投资。

据tomshardware报道，俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本，到2030年需要大约3.19万亿卢布（384.3亿美元）的投资。据Cnews报道，这些资金将用于开发本土半导体生产技术、本土芯片开发、数据中心基础设施、本土人才的培养以及国产芯片和解决方案的营销。

在半导体制造方面，俄罗斯计划投入4200亿卢布（50亿美元）用于新制造技术的研发。俄罗斯的短期目标之一是在今年年底前提高使用90nm制造技术的本地芯片产量，长期目标是在2030年之前建立使用28nm节点的制造系统，这是台积电在2011年就实现的目标。

该计划将于2022年4月22日最终确定，并提交给总理正式批准。