东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET-华强资讯-华强电子网

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

来源：东芝作者：时间：2025-08-28 20:35

－三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－

中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新^[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。

三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。

此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗^[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚^[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品^[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%^[4]，有助于降低设备功耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

? 应用：

- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源

- 电动汽车充电站

- 光伏逆变器

- 不间断电源

? 特性：

- 表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

- 东芝第3代SiC MOSFET

· 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

· 低漏源导通电阻×栅漏电荷

· 低二极管正向电压：V_DSF＝–1.35V（典型值）（V_GS＝–5V）

? 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号				TW027U65C	TW048U65C	TW083U65C
封装	名称			TOLL
	尺寸（mm）		典型值	9.9×11.68×2.3
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			650
	栅极-源极电压VGSS（V）			–10至25
	漏极电流（DC）ID（A）	Tc＝25°C		57	39		28
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	VGS＝18V	典型值	27	48		83
	栅极阈值电压Vth（V）	VDS＝10V		3.0至5.0
	总栅极电荷Qg（nC）	VGS＝18V	典型值	65	41		28
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）	VGS＝18V	典型值	10	6.2		3.9
	输入电容Ciss（pF）	VDS＝400V	典型值	2288	1362		873
	二极管正向电压VDSF（V）	VGS＝–5V	典型值	–1.35
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