【摘要】：安森美24日扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS)绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有