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联电推出40纳米快闪存储器制程 东芝MCU芯片评估采用
晶圆代工厂联电21日宣布，推出40纳米结合SiliconStorageTechnology(SST)嵌入式SuperFlash非挥发性的存储器制程平台。而新推出的40纳米SST嵌入式快闪存储，较当前量产的55纳米制程在单元尺寸上减少逾20%，并
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FTDI Chip 推出新硬件支持高性能单片机
FTDIChip推出整个系列容易使用的模块，方便评估、开发以及应用在本身的32位元FT90X超级桥接MCU芯片系列产品。这将意味着在嵌入式领域工程人员更易于从行业中选取非常先进的芯片提供绝佳的性能水平与丰富的连接性。为了更利于家庭安全，工业控制
2015-10-15 13:52