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TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70mù场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70mù场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的
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